Disque SSD 990 SSD 1TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0
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Le Samsung 990 MZ-V9V1T0BW est un SSD interne de 1 To pour un emplacement M.2 2280, avec PCIe Gen 4.0 x4 et NVMe 2.0. Le fabricant annonce jusqu'à 7 450 MB/s en lecture séquentielle et jusqu'à 6 900 MB/s en écriture séquentielle.
Découvrez ce produit
Le Samsung 990 MZ-V9V1T0BW est un SSD interne de 1 To au format M.2 2280. Son interface PCIe Gen 4.0 x4 avec NVMe 2.0 le destine aux systèmes disposant de ce type de connexion. D'après les caractéristiques du fabricant, il atteint jusqu'à 7 450 MB/s en lecture séquentielle et jusqu'à 6 900 MB/s en écriture séquentielle. Il utilise de la mémoire Samsung V-NAND 3-bit MLC et 1 GB de cache Low Power DDR4 SDRAM. La fiche mentionne aussi le chiffrement AES 256 bits, S.M.A.R.T., le Garbage Collection automatique, le Device Sleep Mode et le logiciel de gestion Magician.
À quoi peut-il vous servir ?
- Il peut servir de stockage interne dans un système doté d'un emplacement M.2 2280 PCIe Gen 4.0 x4.
Ses points forts
- Capacité de 1 To dans un format M.2 2280.
- Lecture séquentielle annoncée jusqu'à 7 450 MB/s.
À prendre en compte avant l’achat
- Il nécessite une connexion M.2 2280 compatible PCIe Gen 4.0 x4 et NVMe 2.0.
Questions sur ce produit
Quelle capacité offre ce SSD Samsung 990 ?
Il offre 1 To, soit 1 000 GB selon les informations du fabricant.
Quel format et quelle interface utilise-t-il ?
Il adopte le format M.2 2280 et PCIe Gen 4.0 x4 avec NVMe 2.0.
Analyse ALMC rédigée avec l’aide de l’IA à partir de la fiche du fournisseur. Il ne s’agit ni d’un essai du produit ni d’un avis client. Consultez les caractéristiques et vérifiez la compatibilité dont vous avez besoin.
Caractéristiques techniques
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9V1T0BW |
| Características | - Tipo: SSD interno - Capacidad: 1 TB (1.000 GB) - Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 - Factor de forma: M.2 2280 - Velocidad de lectura secuencial: hasta 7.450 MB/s - Velocidad de escritura secuencial: hasta 6.900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.200.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.550.000 IOPS - Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Memoria caché: 1 GB Low Power DDR4 SDRAM - MTBF: 1.500.000 horas - Encriptación: AES 256 bits (Clase 0), TCG/Opal, IEEE1667 - TRIM - S.M.A.R.T. - Garbage Collection automático - Device Sleep Mode - Voltaje soportado: 3,3 V ± 5% - Temperatura operativa: 0 a 70 °C - Resistencia a golpes: 1.500 G - Software de gestión: Magician - Consumo medio: 5,4 W - Consumo máximo: 7,8 W - Consumo en reposo: 50 mW Dimensiones y peso - 80 x 22 x 2,3 mm - 9 g |
| Fecha de revisión | 14-08-2026 por IS |
Références et identification
| Référence | IAIDSO0983 |
|---|---|
| EAN | 8806099020699 |
| Part number | MZ-V9V1T0BW |
| Fabricant | Samsung |
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