Disc SSD 990 SSD 1TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0
263,83 €
IVA inclòs · Enviament a Península i Balears
Enviament: 3,63 €
Transport habitual després de l’expedició: 24 h a Península i 48 h a Balears. Termini estimat segons destinació i disponibilitat.
Disponible
Total amb enviament: 267,46 € · Enviament gratuït a partir de 310,01 €
El Samsung 990 MZ-V9V1T0BW és un SSD intern d'1 TB per a una ranura M.2 2280, amb PCIe Gen 4.0 x4 i NVMe 2.0. El fabricant especifica fins a 7.450 MB/s de lectura seqüencial i fins a 6.900 MB/s d'escriptura seqüencial.
Coneix aquest producte
El Samsung 990 MZ-V9V1T0BW és un SSD intern d'1 TB en format M.2 2280. Fa servir una interfície PCIe Gen 4.0 x4 amb NVMe 2.0, de manera que està pensat per a sistemes que disposin d'aquest tipus de connexió. Segons les especificacions del fabricant, arriba fins a 7.450 MB/s de lectura seqüencial i fins a 6.900 MB/s d'escriptura seqüencial. Utilitza memòria Samsung V-NAND 3-bit MLC i inclou 1 GB de memòria cau Low Power DDR4 SDRAM. La fitxa també indica xifratge AES de 256 bits, S.M.A.R.T., Garbage Collection automàtic, Device Sleep Mode i el programari de gestió Magician.
Per a què et pot servir?
- Es pot fer servir com a emmagatzematge intern en un sistema amb ranura M.2 2280 PCIe Gen 4.0 x4.
Els seus punts forts
- Capacitat d'1 TB en format M.2 2280.
- Lectura seqüencial especificada de fins a 7.450 MB/s.
Què cal tenir en compte abans de comprar
- Necessita una connexió M.2 2280 compatible amb PCIe Gen 4.0 x4 i NVMe 2.0.
Preguntes sobre aquest producte
Quina capacitat ofereix aquest SSD Samsung 990?
Ofereix 1 TB, equivalent a 1.000 GB segons la informació del fabricant.
Quin format i interfície utilitza?
Té format M.2 2280 i interfície PCIe Gen 4.0 x4 amb NVMe 2.0.
Anàlisi d’ALMC elaborada amb ajuda d’IA a partir de la fitxa del proveïdor. No és una prova del producte ni una opinió d’un comprador. Consulta les especificacions i confirma la compatibilitat que necessitis.
Característiques tècniques
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9V1T0BW |
| Características | - Tipo: SSD interno - Capacidad: 1 TB (1.000 GB) - Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 - Factor de forma: M.2 2280 - Velocidad de lectura secuencial: hasta 7.450 MB/s - Velocidad de escritura secuencial: hasta 6.900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.200.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.550.000 IOPS - Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Memoria caché: 1 GB Low Power DDR4 SDRAM - MTBF: 1.500.000 horas - Encriptación: AES 256 bits (Clase 0), TCG/Opal, IEEE1667 - TRIM - S.M.A.R.T. - Garbage Collection automático - Device Sleep Mode - Voltaje soportado: 3,3 V ± 5% - Temperatura operativa: 0 a 70 °C - Resistencia a golpes: 1.500 G - Software de gestión: Magician - Consumo medio: 5,4 W - Consumo máximo: 7,8 W - Consumo en reposo: 50 mW Dimensiones y peso - 80 x 22 x 2,3 mm - 9 g |
| Fecha de revisión | 14-08-2026 por IS |
Referències i identificació
| Referència | IAIDSO0983 |
|---|---|
| EAN | 8806099020699 |
| Part number | MZ-V9V1T0BW |
| Fabricant | Samsung |
Enviament, devolucions i garantia
Enviem a Península i Balears. Les despeses es mostren abans de pagar.
14 dies naturals per desistir sense justificació. Consulta les condicions i excepcions. Com fer-ho.
Garantia legal de 3 anys.
